關於 半導體 半間距 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. 【王志仁專欄】半導體發展的三張人物快照 - 數位時代

半導體 如同有「國球」之稱的棒球，在台灣是全民話題，包括國內外科技企業 ... 電路的數目和運算能力成正比，電路間距能持續縮小，意味著運算能力持續 ...

#12. 拜登半導體禁令的後遺症 - 上報Up Media

其次，所有可用於生產以下晶片的半導體製造設備也需經過審核才可出口至中國: 14/16奈米技術節點或以下的邏輯晶片；半間距小於或等於18奈米的DRAM記憶 ...

#13. 半导体工艺节点是什么——你看到的7nm真的是7nm吗？ - 简书

随着Intel 的10nm 节点进入生产阶段，对于半导体工艺节点的困惑越来越多了， ... 长期以来，栅极长度（晶体管栅极的长度）和半间距（芯片上两个相同 ...

#14. 【財經時事放大鏡】美祭最強禁令圍堵中國半導體；Intel 準備拆 ...

Sky：它是限制128 層以上、半間距在18 奈米或以下的動態隨機存取記憶體，中文是DRAM，禁止向中國出口了。 威宇：所以這個跟上一波的禁令比起來，這一 ...

#15. IC 縮小術！林本堅院士談光學微影如何把IC 愈變愈小 - 科技新報

半週距：一條線寬加上線與線間距後乘以0.5。曝光解析度高時，半週距可做得愈小，代表線寬愈小。 k1：係數，與製程有關， ...

#16. 極紫外光微影—延續摩爾定律的重要技術 - 能源資訊平台

然而，在7 nm半間距節點以下，繼續增加OPL多重曝光次數造成製程複雜度和成本的提升將無法負荷，因此半導體產業只能再次更換波長更短的光源，如13.5 nm波長的極紫外光微 ...

#17. 【王志仁專欄】半導體發展的三張人物快照 - Yahoo奇摩新聞

電路的數目和運算能力成正比，電路間距能持續縮小，意味著運算能力持續提高。這表示半導體（最常用也最大量的是矽）這項材枓能夠帶來的生產力進步， ...

#18. 奈米世代下的半導體技術動向:MOSFET,溫度感測 - CTIMES

MOSFET與DRAM等矽半導體元件的加工尺寸已經進入奈米世代， ... ITRS預測2010年的「半間距」可望進入45nm等級（level），屆時高性能微處理晶片的MOSFET ...

#19. 全節點、半節點與小節點：除了營銷術語還有什麼？| 智慧產品圈

越來越多的工藝選項正在給半導體行業造成一定的混淆。 ... 「從歷史上看，一個技術節點的名稱是基於部分的緊密的間距，通常是最精細的布線 ...

#20. 半導體器件用光掩模| TOPPAN PHOTOMASK

另外我們知道，對於比前端半間距32nm更細的油浸曝光，與半色調移相掩模相比，二元掩模具備優勢。凸版印刷與底板供貨廠商開展合作，可以開發加工性更高的新型二元 ...

#21. 光學微影的新限制

在積體電路(IC)生產的發展初期，光學微影一直是半導體圖案製程的主流技術。 ... 四柱型光源(以及許多衍生方案)最多僅能將kpitch 降至0.707 (半間距k1 = 0.35)。

#22. 5D58 - 五南圖書

未來數年，半導體量產線幅當推進至巧奪天工之5奈米半間距，光學微影製程之難度日益增加，對製程工程師之挑戰亦日益升高。本書對相關領域讀者應有所助益與參閱價值。

#23. 美國對陸半導體產業制裁出重手投顧：兩大影響先發酵 - 聯合報

美國對中國大陸半導體產業制裁再升級，為近幾年以來制裁最狠， ... 以下製程的非平面電晶體結構(FinFET 或GAAFET)的邏輯晶片；18nm半間距或更小的DRAM ...

#24. TW201340208A - 一種半導體線路製程 - Google Patents

若要實現45奈米以下製程半間距的要求，則須仰賴更高階的微影技術，如浸潤式微影搭配雙重曝光(Double Patterning)技術、極紫外光(Extreme Ultra Violet,EUV)技術、無光罩微 ...

#25. 中國要如何應對美國最新半導體制裁？ - 香港01

美國商務部工業和安全局（BIS）在10月7日發布了對華半導體出口管制新措施 ... 或GAAFET）的邏輯晶片；半間距不超過18nm的DRAM存儲晶片；128層或更多層 ...

#26. 利用半導體儀器設備技術發展二維電子通道材料元件製程近況

些研究成果都證實了二硫化鉬通道材料對於奈米半. 電子元件微縮上的可行性。 五、三維積層型二硫化鉬鰭式電晶體. 元件設計. 自從2000 年美國加州大學 ...

#27. 成果報告資料顯示 - 工程科技推展中心

微影技術近半個世紀循著莫爾定律快速的發展，成像半間距已達65奈米，其曝光波長為193奈米。在運用浸潤式微影技術之後，193奈米微影技術可用於45奈米。根據2006年國際半導體 ...

#28. 芯片制程命名法将失效？伯克利大学与IEEE大牛提出两大新 ...

当前行业对半导体技术节点系统的命名方法与芯片实际的物理特征之间存在脱节，并且这一 ... 其中，一种叫做接触栅间距，指一个晶体管栅极到另一个晶体管栅极之间的最小 ...

#29. 美國對陸半導體產業制裁出重手投顧：兩大影響先發酵| 豐雲學堂

美國對中國大陸半導體產業制裁再升級，為近幾年以來制裁最狠， ... 以下製程的非平面電晶體結構(FinFET 或GAAFET)的邏輯晶片；18nm半間距或更小的DRAM ...

#30. 半導體物理與元件 - 光電工程系- 國立臺北科技大學

此時，若半導. 體材料中的雜質數量遠小於因熱所產生的載子(電子/電洞)數量時，則此半導體材. 料稱為本質半導體(intrinsic semiconductor)。 在本質半導體之導電帶中的電子 ...

#31. 喬越/ 半導體

半導體 （英語：Semiconductor）是指一種導電性可受控制，範圍可從絕緣體至導體之間的 ... 因此只要給予適當條件的能量激發，或是改變其能隙之間距，此材料就能導電。

#32. 噔噔愣噔愣～縮小術！用光學微影把IC 晶片變小了 - 泛科學

半週距：一條線寬加上線與線的間距後乘以1/2。曝光解析度高時，半週距可以做得愈小，意味著線寬可以愈小。 k1：一個係數，與製程有關，縮小半週距的關鍵，是所有半導體 ...

#33. 10月半导体：周期1H23有望见底 - 行情中心_新浪财经

根据美国最新出口管控条例，限制用于128 层或以上NAND 以及半间距18nm 及以下DRAM 产线的半导体设备向中国出口，并限制美国人士参与上述参数范围内 ...

#34. 美追殺陸半導體台系2檔IC設計中槍 - 工商時報

半導體 美國對大陸新半導體禁令開始發酵，市場擔憂將對大陸晶片業帶來毀滅性 ... 還有18奈米半間距或更小的DRAM內存晶片，以及128層的以上NAND閃存。

#35. 先進製程缺陷檢測設備及性能測試標準樣本製作技術

因此生產次10 奈米半間距技術節點之元件很可能. 需要次世代微影技術(Next Generation Lithography). 的參與。根據2015 年國際半導體技術藍圖[2] 的.

#36. 【專題】美國擴大對中國半導體出口管制 - HackMD

美國商務部10/7再度擴大對中國之出口管制禁令，此舉將嚴重限制中國半導體之製造 ... 以半導體製程而言，禁令擴大涵蓋至16或14奈米以下製程之邏輯晶片、半間距超過18奈 ...

#37. 61190384:稅則預先審核案例

TF_FUNCTION, KLA-Teron之光罩缺陷檢測儀600系列係用以檢測半導體製造中微影製程所使用之光罩上之缺陷，特別是用以檢測20幾奈米之邏輯電路元件及30幾奈米之半間距記憶體之 ...

#38. 美國擴大對中國晶片出口限制，即日生效 - iThome

... 針對運往中國半導體廠所需的生產設備增加了新的許可要求，例如14或16奈米及以下非平面電晶體架構（FinFET或GAAFET）的邏輯晶片，18奈米半間距或更 ...

#39. 第一章晶體性質與半導體成長

半導體 是指導電率介於金屬與絕緣體之間的材. 料。 ○ 元素型半導體：第四族元素所構成的半導體，. 矽與鍺。 ... 運動，就可以在原子層間距的尺度上改變磊晶層的材料.

#40. 第三章晶圓製程設備產業研究第一節半導體產業特性

相反地，銅晶片所需層數只需要傳統鋁製程的一. 半，就能達到相同的元件功能，因此在製造成本上可以獲得同比例降低，提高競. 爭力。主要在130 奈米以下才成為主流，主要產品 ...

#41. X光繞射——半導體新材料特性分析利器- 電子技術設計

薄膜在經過不同的堆疊，晶格平面間距會受到擠壓或拉伸，因此可以透過XRD量測繞射峰角度位移量(Δ2θ)的分析應變手法，搭配一個常用的數學模式(sin2ψ method) ...

#42. 當年度經費： 27000 千元 - 政府研究資訊系統GRB

關鍵字：半導體量測；X光反射技術；環繞式閘極；關鍵尺寸；線上量測； ... 半間距22奈米以下技術節點前瞻非化學放大式分子光阻之鄰近效應建模與運用.

#43. 科技部(財團法人國家同步輻射研究中心) 「突破半導體物理極限 ...

室與EUV 服務平台，為半導體產業在新穎材料開發、核心製程技術、. 缺陷分析等科技研究做出突破性貢獻，並 ... 光源進行檢測，因其光學物理極限僅可滿足半間距32nm 之檢.

#44. 最佳化非晶質碳核心膜沉積條件以改善自我雙對準製程之圖案擺動

雙圖案化技術(Double patterning technology，DPT）已被確定做為30奈米以下半間距圖案光學微影製程的延伸技術，以填補浸泡式微影技術和EUV微影技術之間的微縮製程世代 ...

#45. 半导体领域最近经常提到的7nm, 5nm工艺是什么？ - 知乎

但是节点的演变没有完全遵循既定方向发展，尤其在20/22nm引入FinFET以后，最小金属间距减小变得很慢，厂商为了凸显出自家先进性，故意将半节距的定义模糊，开始混乱 ...

#46. 半導體領域最近經常提到的7nm, 5nm工藝是什麼？ - GetIt01

但是節點的演變沒有完全遵循既定方向發展，尤其在20/22nm引入FinFET以後，最小金屬間距減小變得很慢，廠商為了凸顯出自家先進性，故意將半節距的定義模糊，開始混亂起來。

#47. 選區合成半導體材料 - 國家實驗研究院

選區合成半導體材料 ... 分別以物理方式減薄前驅物後所合成之二維材料拉曼圖譜，E1與A兩特性峰間距越近，顯示層數越薄。圖右，認取試片三點之拉曼圖譜，插入圖為PL ...

#48. 奈米製程步步為營- 新電子科技雜誌Micro-electronics

隨著半導體技術發展進入奈米世代，每個製造過程間的關聯更加環環相扣，失之毫釐，將差之千里。其中，微影(Lithography)製程更是促成半導體製程半間距得以繼續邁向32奈 ...

#49. 限芯政策持续发酵，哪些企业获得许可？

来源I 半导体观察网近日，美国商务部工业和安全局（BIS）升级对华出口 ... 具有16nm/14nm或更小的生产技术节点的逻辑集成电路，使用18nm半间距或更小 ...

#50. 争议“芯粒”：国产芯片能绕开先进制程“弯道超车”吗？ - 腾讯网

面对美国“卡脖子”措施的不断升级，通过Chiplet模式实现国产半导体产业的“弯道 ... 芯片半间距18nm或以下的DRAM存储芯片；128层或以上的NAND闪存芯片。

#51. 美半導體管制加碼國產化提速 - 澳門日報電子版

半導體 製造技術上，明確限制：一、具有16nm或14nm以下制程的非平面晶體管結構的邏輯晶片；二、半間距為18nm及以下的DRAM存儲晶片；三、128層及以上層 ...

#52. 極紫外光微影之高階材料檢測分析 - 材料世界網

依據摩爾定律，半導體晶片之元件密度會逐年提升，其中如何提高元件密度， ... 等改善技術，可以將半導體技術節點推進到10奈米半間距(Half-pitch)。

#53. 99 年度電子半導體生產設備製造業原物料耗用通常水準

植球機將植完球後的基板，送入多段高溫(150~230℃)的隧道爐(迴銲. 爐，如上圖)內，使得錫球半融化後黏附在基板上。此製程的關鍵在於溫度. 曲線(Profile)的調整，也可能與 ...

#54. 1α 是多少纳米？如何赋能终端产品？ - 制造工艺- 半导体芯科技

特别是对于DRAM，节点的名称通常对应于最小特征尺寸，即内存单元阵列激活区的“半间距”的尺寸。我们是从1x开始的，但随着节点的不断缩小，要不断命名下 ...

#55. 半導體產業討論區(元件、製程、設計、EDA 與封裝測試)

IBM 正在使用一種稱為channel-last 的技術開發類似的SiGe NS-pFETs。 雖然Nanosheet 跟3nm FinFET 的閘間距(Contacted Poly Pitch, CPP) 差不多，前者44nm，後者45nm，但是 ...

#56. NIL 可以滿足廣泛的半導體應用，可與EUV一戰

例如，對於DRAM，某些關鍵層上的疊加比NAND 閃存緊密得多，誤差預算為最小半間距的15-20%。對於14nm，這意味着2.1nm - 2.8nm。DRAM 器件設計也具有挑戰性，並且佈局並 ...

#57. 先端技術與產業鏈自主發展計畫」 (核定版)

(5)微細間距半導體構裝用高. 流動性晶片封裝底部填充膠. (6)毫米波低損耗（0.002@20-. 100GHz)晶片構裝型低溫共. 燒陶瓷材料.

#58. 全球半导体技术发展路线图 - 国家集成电路设计深圳产业化基地

一是每2年更新一代的半导体技术，导致集成电路和数以百万计的晶体管得以高效率、 ... 对22纳米半间距光刻而言，采用间隔件光刻或多个模式的193纳米浸入式光刻机，将被 ...

#59. FinFET与2nm晶圆工艺壁垒- 吴建明wujianming - 博客园

面向2nm以下的下一步解决方案就是许多人所说的半大马士革工艺，这是一种针对最紧密的金属间距的一种更彻底的技术。半导体行业之所以正在研究半大马士革 ...

#60. 香港貿易新形態：美國收緊半導體出口管制 - HKTDC Research

美國工業及安全局對美國向中國內地出口的先進計算和半導體製造物品實施新 ... 半間距為18納米或以下的DRAM內存芯片；; 128層或以上的NAND閃存芯片。

#61. 半導體化學氣相沉積膜厚之預測使用神經網路 - CHUR

資料的來源係依據半. 導體CVD 實際生產機台中的製程參數，並依據量測機台所得的結果所取得。 機台中會影響產品變異的製程參數包括不同種類的氣體流量、液體流量、製. 程 ...

#62. (19)中華民國智慧財產局

本發明揭示不對稱特徵之間距加倍方法及包含該等不對稱特徵之半導體結構。在一實施例中,. 可使用一單一光微影遮罩以將(例如)一DRAM 陣列之三個特徵進行間距加倍。

#63. IC 縮小術！林本堅院士談光學微影如何把IC 愈變愈小

這樣的成果並非一蹴可幾，而是多年來半導體研發人員和工程師的心血累積而成。 ... 線寬與週距（Pitch）的示意圖，週距為線寬加上線與線之間的間距，可 ...

#64. SK海力士、三星、英特尔在华晶圆厂均已获得美国出口限制 ...

... 的逻辑芯片、18nm半间距或更小的DRAM内存芯片、以及128层或以上NAND闪存芯片制造所需的美系半导体设备，都将被“直接拒绝”，而在这个“阈值”以下的 ...

#65. 158.【財經時事放大鏡】美祭最強禁令圍堵中國半導體；Intel ...

... 但影響比重不大08:39 記憶體方面限制能夠製造128 層以上快閃記憶體，以及半間距在18 奈米或以下的動態隨機存取記憶體（DRAM）的設備禁止向中國出口， ...

#66. 對DRAM而言，摩爾定律已經死亡 - 今天頭條

幾十年來，摩爾定律一直是半導體性能和成本的驅動因素。 ... DRAM的淺槽隔離（STI）的「半間距（Half Pict）」其實是16nm。

#67. 【芯历史】XXnm制程命名法：一场营销游戏 - 集微网

芯历史──纵览国内外半导体产业发展历程，挖掘行业奇闻趣事，以古鉴今，探寻 ... 其一是接触栅间距，即两个晶体管栅极之间的最小距离；其二是金属 ...

#68. 闪存光刻技术的新思路- 封装测试 - 半导体行业观察

半导体 行业观察：当NAND闪存的半间距（half-pitch）达到20 nm时，非易失性存储容量达到64 Gb 。到达14 nm 后，NAND闪存的半节距不再减少， ...

#69. 美国限芯进展：部分在华外资公司协商后可提供设备服务

10月12日，美国半导体设备商科磊（KLA）的中国区员工对记者表示， ... 基准线：具有16nm/14nm或更小的生产技术节点的逻辑集成电路，使用18nm半间距或 ...

#70. 摩尔定律既已失效，我们该用什么方法衡量半导体进步？ - 至顶网

但为了解决电流泄漏问题，CMOS晶体管的结构必须进行变更，情况也开始进一步跑偏。2011年，英特尔在22纳米节点上切换为FinFET，其栅极长度为26纳米，半间距 ...

#71. 國研院台灣半導體研究中心臺南基地啟用 - NCKU

科技部國家實驗研究院與國立成功大學共同打造「國研院台灣半導體研究中心臺南基地」，今（17）日啟用。國研院院長吳光鐘、成大校長蘇慧貞、台南市政府 ...

#72. 半節距 - 中文百科全書

半節距（half-pitch），是指晶片內部互聯線間距離的一半，也即光刻間距的一半。由於歷年來每一個新的技術 ... 半導體業界通常使用“半節距”、“物理柵長（電晶體柵極的長度.

#73. 阅读全文 - 内容中心

至于1α，您可以将其视为10 纳米类的第四代产品，其半间距范围为10 纳米 ... 尽管令人惊讶，但半导体行业数十年来一直在做一件事情，即每年或每两年 ...

#74. 硬件设计基础20问 - MCU加油站

1、半导体或芯片的0.25um、 0.18um、 90nm、 7nm工艺指的是什么？ ... 半节距，是指芯片内部互联线间距离的一半， 也即光刻间距的一半。

#75. 力追台積電！英特爾公布4奈米技術細節拚2025年製程領先

Intel 4於鰭片間距、接點間距以及低層金屬間距等關鍵尺寸（Critical ... 透過FinFET材料與結構上的改良提升效能，Intel 4單一N型半導體或是P型 ...

#76. 衡量半导体工艺进步的最好方法（上） - 电子工程世界

晶体管半节距（half-pitch）是指芯片内部互联线间距离的一半，也即光刻间距的一半。在二维晶体管或“平面”晶体管设计中，栅极长度测量晶体管的源极和漏 ...

#77. 精測推微間距探針卡新品，克服高溫測試挑戰 - MoneyDJ理財網

全球半導體產業年度盛會SEMICON Taiwan 2022「Advanced Testing Forum」 ... 論壇上，精測宣布，推出最小微間距(pitch)可達45um的NS45探針卡，該系列 ...

#78. 半導體行業未來10 年的五大趨勢解析

我們希望半鑲嵌金屬化模組可以同時提高最緊密間距金屬層的電阻和電容。 半大馬士革將允許我們通過直接構圖來增加金屬線的縱橫比（以降低電阻），並使用氣 ...

#79. 芯片（半导体元件产品的统称）_百度百科

这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图中有很好的描述。 仅仅在其开发后半个世纪，集成电路变得无处不在，计算机、手机和其他数字电器成为社会结构 ...

#80. FinFET与2nm晶圆工艺壁垒_普通网友的博客

面向2nm以下的下一步解决方案就是许多人所说的半大马士革工艺，这是一种针对最紧密的金属间距的一种更彻底的技术。半导体行业之所以正在研究半大马士革 ...

#81. 高科技半導體廠結構設計之關鍵考量

半導體 廠主要的功能就是生產或是測試半導體晶. 片，而一般建築都是以人為主要的服務對象，當然半導. 體晶片最後也是以人為服務對象，但是讓人舒服居住與.

#82. 14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND的影响

14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND的影响 ... DRAM节点尺寸目前是由器件上最小的半间距来定义的，美光DRAM基于字线，三星和SK海力士则 ...

#83. 下一代EUV光刻机，新型晶体管，摩尔定律的“救星”大盘点！

2006年左右，逻辑器件半导体的微缩正在从65nm向45nm发展。但是，当时先进的曝光设备ArF（现在称为ArF干 ... 问题包括例如你觉得半间距（hp）以几nm的界限会是什么”。

#84. 誰握有最佳半導體製程技術? - 人人焦點

也就是說，台積電在10nm達到的M1金屬層間距已「完整微縮（？70%），領先英特爾的14nm，」Hutcheson強調，英特爾持續14nm節點已經2年了。

#85. 這不是國產能不能撐起來的問題，而是一定要走的路 - 华盛通

... 以下製程的非平面晶體管結構的邏輯芯片、半間距不超過18納米的DRAM存儲芯片、128層 ... 在風格低調保守的半導體行業，AI芯片公司可以説是個例外。

#86. 安智致力研發智慧型化學品 - 天天要聞

半導體 產業跟隨着摩爾定律推移，將積體電路元件持續的縮小，傳統的黃光微影製程 ... 投入研究開發，已經被視爲可以滿足16奈米及11奈米半間距設計要求的主要潛在製程。

#87. 延續摩爾定律可能性非破壞性3D X-ray量測添戰力 - 新通訊

近年半導體產業興起一波摩爾定律即將失效的論點，究其原因在於無法再繼續 ... 這也意味著凸塊相連的間距日益縮小，製程越來越難以控制，故在量測開發 ...

#88. 14張圖看懂半導體工藝演進對DRAM、邏輯器件 - 雪花新闻

DRAM節點尺寸目前是由器件上最小的半間距來定義的，美光DRAM基於字線，三星和SK海力士則基於主動晶體管。 圖表下方在一定程度上展示了關鍵技術的發展 ...

#89. 158.【財經時事放大鏡】美祭最強禁令圍堵中國半導體；Intel ...

08:39 記憶體方面限制能夠製造128 層以上快閃記憶體，以及半間距在18 奈米或以下的動態隨機存取記憶體（DRAM）的設備禁止向中國出口，長鑫存儲、長江 ...

#90. Intel 4製程2023年出貨英特爾盼2025重返製程王位 - 大大通

Intel 4製程將於2022年下半準備量產，2023年開始出貨。 ... 透過FinFET材料與結構上的改良提升效能，Intel 4單一N型半導體或是P型半導體，其鰭片數量從Intel 7高效能 ...

#91. SEMI：2024年全球半導體封裝材料市場將達208億美元

隨著半導體封裝技術創新的穩步推進，未來幾年材料市場機會較大的領域包括：. 可支援更高密度的窄凸點間距之新基板設計; 適用5G毫米波應用之低介值 ...

#92. 行业动态事关EUV光刻... - 雪球

在半导体工艺进入10nm节点之后，EUV工艺是少不了的，但是EUV光刻机价格高达10亿一台， ... 某些关键层上的叠加比NAND 闪存紧密得多，误差预算为最小半间距的15-20%。

#93. 美扩大对华芯片及设备出口管制，影响几何？

那么这些限制对于中国半导体产业会带来多大的影响呢？ ... 的逻辑芯片、18nm半间距或更小的DRAM内存芯片、128层或以上NAND闪存芯片制造的半导体设备的 ...

#94. 邏輯製程- 台灣積體電路製造股份有限公司

20奈米製程. 台積公司於2014年領先全球半導體製造業成功以雙重曝刻（Double Patterning）量產客戶20奈 ...

#95. 最近的贸易& 关税透视｜BIS发布先进计算和半导体制造规则

使用18纳米半间距或更小的"生产"技术节点的动态随机存取存储器（DRAM）IC。 向中国或在中国境内运送、传输或转移，或为这种转移提供便利，或为任何不受EAR ...

#96. 14张图看懂半导体工艺演进对DRAM、逻辑器件、NAND三大 ...

DRAM节点尺寸目前是由器件上最小的半间距来定义的，美光DRAM基于字线，三星和SK海力士则基于主动晶体管。图表下方在一定程度上展示了关键技术的发展情况。

#97. 天风证券-半导体行业研究周报：美对华半导体出口管制范围扩大

申万半导体行业指数下跌3.51%，同期创业板指数下跌0.65%， ... 结构（FinFET或GAAFET）的逻辑芯片；半间距为18nm或更小的DRAM存储芯片；128层或更多层 ...