The channel gets pinched-off only when the MOSFET reaches saturation, beyond which only channel length modulation has direct effect on the ... ... <看更多>
channel length modulation 在 [理工] [電子]-channel length modulation - 看板Grad-ProbAsk 的推薦與評價
請問FET如果在Triode區還要考慮channel length modulation嗎? 若要考慮Id是變成Id=Kn[2(Vgs-Vt)Vds-Vds^2](1+Vds/Va) 這樣嗎? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc) ... ... <看更多>
channel length modulation 在 Re: [問題] 有關超大積體電路的解釋名詞(急),拜… 的推薦與評價
※ 引述《masakimay (飛...)》之銘言:
: 最近朋友在找資料
: 因本人不是相關科系
: 故請板上各位高手幫忙,謝謝。
: 1.費米能階?
Fermi Level:
在0度K,電子所能填滿的低能階。
: 2.反轉層?
Inversion layer:
當閘極偏壓大於臨限電壓時,在P-type表面感應出負電子,如同產生一層N通道,
此層稱為電子反轉層。
: 3.通道長度調變效應?
Channel length modulation effect:
元件工作於線性區時,其有效的通道長度將會固定不變,但是當汲極偏壓提升至
飽和區時,靠近汲極的閘極下方區域不再是寬廣的空乏區(Depletion Region),
同時將會使得載子速度達到飽和狀態,因此有效通道長度在高電場的狀態下會減短,
這個效應稱做通道長度調變效應。
: 4.體效應?
Body effect
當(本體)B 與源極S 之間存在電壓Vbs,會對臨界電壓(Vt)產生影響。
: 5.天線效應?
Antenna effect
在半導體製造過程當中,電漿蝕刻(Plasma Etching)時,做為導線的金屬層/多晶矽層
(Metal/Polysilicon)因累積了過多的電荷,將會導致對閘極氧化層(gate oxide)
靜電放電,而損害了元件。因為導線層的行為就如同天線般收集了電荷,
因而稱為 Antenna Effect
: 6.窄通道效應?
Narrow Channel Effect
元件通道長度對一個理想的臨界電壓而言是不會造成改變。不過當元件尺寸縮小後,
臨限電壓(Vt)就會跟有效通道長度(Leff)與有效通道寬度(Weff)有關,
這稱做短通道與窄通道效應。
: 7.穿透效應?
tunneling effect
當原子中的電子,獲得足夠的能量,且鄰近亦有其他原子可接納此電子之處,
該電子可跳躍而出進入鄰近的其他原子,此現象稱為穿遂效應。
: 以上,7個解釋名詞,簡單的說明就可以了,麻煩各位,謝謝。
用google不到15分鐘。
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對流血一週仍然不死的生物千萬不能大意……。
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◆ From: 203.66.222.12
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