鴻海、比亞迪、IDM風雲會 布局第三代半導體逐鹿中原
電子時報00:06何致中／綜合報導
新世代半導體發展趨勢風起雲湧，醞釀20多年的氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)並非嶄新的「黑科技」，但隨著無線通訊技術、充電技術越來越需要具「高功率密度」特性的寬能隙(WBG)元件，GaN、SiC等明顯優於主流矽基(Si-Based)半導體的性能備受重視。
特別是在「未來車」相當有機會成為下一個資通訊產業革命的主戰場的此刻，欲想在電動車卡位的龍頭集團業者無不摩拳擦掌。除領頭的國際IDM大廠包括英飛凌(Infineon)、意法半導體(STM)、Cree、羅姆(Rohm)等業者外，中系功率半導體與電動車大廠比亞迪集團，以及台灣EMS龍頭的鴻海集團，紛紛著手對於SiC、GaN領域更深遠的布局藍圖。而針對近期包括兩岸、海外等龍頭大廠布局狀況，以下為DIGITIMES所作整理。
IDM廠轉向8吋廠生產 凸顯領跑者角色
儘管台系業者包括鴻海、中美晶、台積、聯電、富采投控、漢民、穩懋等，力求大打跨界集團戰儘速合縱連橫。惟領跑的國際IDM大廠「轉進8吋晶圓廠」生產已然增速，包括意法、羅姆等，近期英飛凌也宣布與Panasonic共同量產8吋矽基氮化鎵(GaN-on-Si)新品，預期2023年上半新品將進入市場。
而此舉正是力圖突破目前第三代半導體元件價格明顯高於矽基元件2~3倍的主要方向之一，目前主流的6吋廠產能也不足以因應未來被廣泛應用於3C充電領域的GaN-on-Si元件。
英飛凌大中華區總裁蘇華、意法亞太區副總裁暨台灣區總經理Giuseppe Izzo等也公開指出，第三代半導體領域IDM大廠們已經卡好最佳位置，GaN、SiC的市場接受度目前看來也比預期快。
IDM廠在技術、產品組合、整體解決方案都相當完整，甚至是第三代半導體在材料以外的各種電源IC週邊包括驅動器、MCU等全方位配套策略，目前恐怕仍是寬能隙元件領域發展最全面的主力。
比亞迪、鴻海各自出招 共逐EV、第三代半導體大計
鴻海總裁劉揚偉於SEMI論壇中指出，EV將持續替第三代半導體的SiC、GaN鋪路，未來也可望成為一座「新護國神山」。
新世代化合物半導體潛力高 新護國神山待醞釀
事實上，化合物半導體也包括一般稱為第二代半導體的砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等等，穩懋副董事長王郁琦指出，化合物半導體繼5G RF應用、手機用3D感測應用等，後續包括未來的6G、衛星通訊、車用光達(LiDAR)、生物辨識等，在在都需要更多的化合物半導體，也將成為次世代半導體關鍵之一。
整體來看，舉凡光學元件、充電元件、通訊元件等，囊括寬能隙材料的第三代半導體潛力持續被市場重視，而不管是業界老鳥或集團新兵，組隊大打世界盃的風雲集結態勢為現在進行式，更可能往國家產業戰略方向角度前進，這也回應鴻海總裁劉揚偉所述，台灣已經在矽半導體享有高度成就，如何複製到剛起步的第三代半導體，打造一座「新護國神山」，更是未來產官學研界重點任務。
隊長資料整理：
TrendForce示，2021 年各國 5G 通訊、 消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使基地台、能源轉換器（Converter）及充電樁等應用需求大增，第三代半導體氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）元件及模組需求強勁。氮化鎵功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據TrendForce研究，氮化鎵功率元件主要應用大宗為消費性產品，至2025年市場規模將達8.5億美元，年複合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源汽車20%、通訊及資料中心15%。據TrendForce調查，截至目前有10家手機OEM廠商陸續推出18款以上搭載快充的手機，且筆電廠商也有意跟進。
全球SiC功率市場規模至2025年將達33.9億美元，年複合成長率達38%，前三大應用占比將分別為新能源車61%、太陽能發電及儲能13%、充電樁9%，新能源車產業又以主驅逆變器、車載充電機（OBC）、直流變壓器（DC-DC）為應用大宗。
漢民科技集團，控股公司。打入華為5G基地台供應鏈。
旗下「嘉晶」(61.2%)為國內前二大磊晶矽晶圓供應商。
旗下「漢磊科技」(100%)為國內最大功率/類比IC晶圓代工廠、全球第九大矽磊晶圓廠，生產MOSFET、IGBT及二極體。
4吋廠600~1200V SiC SBD/MOSFET已量產。
6吋廠1700V SiC SBD/MOSFET已量產
SiC晶圓薄化可達100微米。
因應5G、電動車應用帶動功率半導體需求，研發WBG寬能隙材料的GaN氮化鎵、SiC碳化矽製程，漢磊旗下三座晶圓廠都已通過車規認證並量產。
去年EPS-1.64元。今年上半年EPS 0.07元轉虧為盈。
今年7月營收6.31億元續創新高，月增4.43%、年增41.08% 八月營收再創新高
漢磊布局化合物半導體超過10年，這將是未來營運主軸，近2年策略上正往氮化鎵、碳化矽、車用MOSFET、二極體、靜電保護等TVS等5類別發展，特別鎖定車用相關，今年已看到成效，由於碳化矽與氮化鎵產品價格比一般半導體高，對漢磊營收或獲利都會有幫助。漢磊下半年到明年上半年營運展望皆樂觀，因為還有很多客戶排隊要產能，「客戶追單仍多，產能滿到年底沒有問題」。惟上半年剛虧轉盈，EPS還未顯現，
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中美矽晶太陽能 在 [轉錄][心得] 太陽能產業相關資料整理- 看板NTUGIPO_307A 的推薦與評價
※ [本文轉錄自 Stock 看板]
作者: blue0955 (blue0955) 看板: Stock
標題: [心得] 太陽能產業相關資料整理
時間: Wed Dec 12 13:38:28 2007
太陽光電各個生產階段國內廠商的分佈與生產情況
製程 分類 產能 最近動態
矽晶圓製造 單晶矽 中美矽晶 90MW(2007Q4達120MW)
綠能(大同子公司)200MW
合晶 20MW(2007年底達100MW)
多晶矽 太陽光電 預計2008年3MW 已與俄羅斯研究院完成
授權，準備建廠
太陽能電池製造 單晶矽太
陽能電池
茂迪 200MW(2007年達240MW
2008年達400MW)
益通 100MW(2007年達200MW)
旺能 50MW(2007年達100MW)
昱晶 60MW(2007年達260MW)
昱陽 30MW(2007年達60MW) 申請入興櫃
新日光能源 30MW(2007年達60MW) 新竹科學園區設立
科冠 30MW
太陽光電 30MW(2007年底達90MW)
茂矽 30MW
太極能源 投資評估中
長生能源
(長生電力轉投資) 投資評估中
耀華 2008年30MW 宜蘭利澤工業區動土
建廠中
薄膜太陽能電池 大豐能源
(光華開發投資) 30MW 2007年量產
鑫笙能源 5.5MW 2007年量產
綠能 30MW (2009年達50MW) 桃園觀音廠中，預計
2008年量產
聯相(聯電子公司)25MW (初期12.5MW、
2010年達100MW) 台中中科建廠中，預
計2008Q1量產
威奈聯合 5.5MW(2008年達35MW) 建廠中，預計2008Q1
量產
旭能光電(浩瀚數
位、訊碟科技轉投資) 2008年5月量產
富陽光電
(中環轉投資) 2008年達30MW 2008年上半量產，林
口華亞五廠
嘉晶 研發階段
崇越 技術引進
台達電 研發階段
模組製造與封裝 鼎晶(鼎元子公司)25MW (2008年達40MW) 取得TUV認證
奈米龍
(李洲轉投資) 10MW 取得TUV認證，生產B
IPV產品
知光能源(立碁光電轉投資)
中國電器 多數以獨立照明燈為
主，再進一步涉獵太
陽能光電發電系統
生耀光電(益通
、裕隆、宏碁轉投資)20MW(2008Q2達95MW)
單晶矽與薄膜太陽能電池的特性
單晶矽太陽能電池 薄膜太陽能電池
30MW生產線設置成本 3~5億元 25~30億元
太陽光轉換率 14~17% 6~7%
產品良率 >99%
技術成熟度 高 大廠SHARP的技術成熟度高，設備商
技術有待檢驗
產品透視程度 不透明 透明
產品重量/厚度 較重/厚 較輕/薄
可撓度 差 好
產品應用層面 窄 寬
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