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第三代半導體布局效益顯現，漢磊股價盤中亮燈漲停
【財訊快報／研究員莊家源】漢磊(3707)為6吋晶圓代工廠，以生產第三代半導體材料是以碳化矽（SiC）及氮化鎵（GaN）材料為主，其具備高功率、耐高溫、高崩潰電壓、高電流密度及高頻等特性，更能因應電動車、綠能、5G基站、雷達及快充等發展趨勢，其中以SiC-on-SiC、GaN-on-SiC、GaN-on-Si最具發展性。從國際大廠來看，包括科銳（Cree）、Ⅱ-Ⅵ、英飛凌（Infineon）、意法半導體（STM）、羅姆半導體（ROHM）、三菱電機、富士電機（Fuji Electric）等已在碳化矽領域卡位，漢磊布局碳化矽與氮化鎵等化合物半導體已多年，預估今年效益可逐步發酵。
今日股價開高急拉盤中達漲停價50.8元，以長紅棒站回所有均線。近期法人多在調節持股，但由於產業前景持續看好，帶動營運逐步轉佳，股價有望再創新高。短期支撐為45元。
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崩潰電壓 在 [問題] 稽納電壓&膝點電壓- 看板Electronics - 批踢踢實業坊 的推薦與評價
有關稽納二極體特性曲線，想請教各位版友
如上圖所示，我對曲線的了解如下:
1.Vz:稽納電壓(即是崩潰電壓)，為稽納二極體施加逆向偏壓時，
逆向偏壓大小是否已達到崩潰狀態(工作狀態)的標準。
2.Vzk:膝點電壓，當達到崩潰後，施加的逆向偏壓有浮動，
稽納二極體仍算維持崩潰狀態的最小逆向電壓。
3.Izk與Izm:達到崩潰後，當逆向偏壓或負載有改變，造成Iz浮動，稽納二極體
仍維持崩潰狀態的最大與最小電流，超過最大電流，稽納二極體可能會燒毀。
4.據曲線Vz=Vzo+Iz ×rz，又Vzo約等於Vzk，所以也可寫成Vz=Vzk+Iz ×rz
以上，但看一些題目描述都把Vz與Vzk都混一起，覺得很困惑
如上題目答案為(A)，題目說稽納電壓Vz=8，我會認為題目給的是我寫的1.
但實際是Vzk=8才能得到答案..(做法很簡單就不多贅述了)
(1)到底這樣題目的敘述是否有問題呢?
(2)若題目同時給了Vz與Vzk，要用Vz來判定稽納二極體有沒在崩潰狀態，這觀念是否正確?
(3)還是我對曲線認知有誤呢?
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 220.134.144.242
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Electronics/M.1516093586.A.7DF.html
※ 編輯: tyo1232000 (220.134.144.242), 01/16/2018 17:15:44
恩，你的題目的確比較清楚(Vz與Vzk都可以得到)，
我貼的題目給了rz，也是要採模型解，Vz=Vzk+Iz ×rz(電源串一電阻)
問題就是他只給了一個8V，這8V到底是Vz還是Vzk?
以題目字面看明明是Vz要等於8V (雖然這樣條件不夠，也算不出來)，
但實際他是把8V當作Vzk來算，
且我看到的解答，最一開始在判定稽納是否處於崩潰，也是用8V，表示變成用Vzk在判定...
完全混用兩者..
※ 編輯: tyo1232000 (220.134.144.253), 01/17/2018 00:33:50
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