#電源設計 #絕緣柵雙極電晶體IGBT #金氧半場效電晶體MOSFET #氮化鎵GaN #碳化矽SiC #寬能隙Wide Band-gap #超接面super-junction #功率因數修正PFC #雙電晶體順向式TTF #邏輯鏈路控制LLC #準諧振返馳式拓樸 #返馳式充電器 #齊納二極體Zener diode
【超接面，通往寬能隙半導體製程的跳板】
開關式電源 (Switch Power) 旨在控制開通和關斷的時間點以維持穩定的輸出電壓，一般由脈衝寬度調變 (PWM) 控制 IC 和金氧半場效電晶體 (MOSFET) 構成，輕量、提高工作頻率的耐受度是主要方向；而如何在高壓功率元件獲得良好的崩潰電壓及導通電阻？向來是業界不斷精進的課題。在氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等新一代寬能隙 (Wide Band-gap) 半導體材料未臻成熟前，借助高摻雜濃度的「超接面」(Super Junction，簡稱SJ) 結構，能有效優化上述兩項技術指標、達到節能目的，並突破矽 (Si) 材料極限，故成為新型高壓功率元件的新寵。
效能和價格固然是採購功率元件的基本準則，但電磁干擾 (EMI) 和射頻干擾 (RFI) 對於系統設計的影響亦不容小覷，否則善後工作會很棘手且耽誤開發時程，設計前應做全方位的考量。就系統角度而言，還須考慮週邊元件的適配度；例如，選用功率密度 (High Density) 高的元件，「扼流器」(Power Choke) 等被動元件的體積亦可隨之微縮。以伺服器為例，可連帶使整個電源模組、乃至機殼外型都更為輕薄，極大化利用有限的資料中心空間。若功率元件廠商能提供多種 RDS(ON) 導通電阻等級和不同封裝方式的「產品組合」，工程師也有更多選擇的可能性。
在功率因數修正 (PFC)、雙電晶體順向式 (TTF) 和其他硬切換拓樸中，擁有媲美 GaN 性能的 MOSFET，適合高功率開關模式電源 (SMPS) 應用，如：超大型資料中心、電信基地台、太陽能和工業等。此外，整合式本體二極體 (Body Diode) 確保低損耗續流功能，適用於馬達驅動、太陽能或焊接技術領域；而整合齊納二極體 (Zener diode) 的 MOSFET，具備更高的靜電放電 (ESD) 耐受性，可減少良率損失並改善組裝產能。除了導通電阻和損耗問題，封裝亦會關係到負載與電路板空間運用效率以及穩壓效果；溝槽式 MOSFET 模組平台和拓樸，動態損耗更低。
延伸閱讀：
《Infineon「超接面製程」為銜接GaN、SiC 材料作緩衝》
http://compotechasia.com/a/feature/2017/0615/35751.html
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#英飛凌Infineon #CoolMOS C3/C7/P7 #CoolSiC
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齊納二極體崩潰電壓 在 [問題] 稽納電壓&膝點電壓- 看板Electronics - 批踢踢實業坊 的推薦與評價
有關稽納二極體特性曲線，想請教各位版友
如上圖所示，我對曲線的了解如下:
1.Vz:稽納電壓(即是崩潰電壓)，為稽納二極體施加逆向偏壓時，
逆向偏壓大小是否已達到崩潰狀態(工作狀態)的標準。
2.Vzk:膝點電壓，當達到崩潰後，施加的逆向偏壓有浮動，
稽納二極體仍算維持崩潰狀態的最小逆向電壓。
3.Izk與Izm:達到崩潰後，當逆向偏壓或負載有改變，造成Iz浮動，稽納二極體
仍維持崩潰狀態的最大與最小電流，超過最大電流，稽納二極體可能會燒毀。
4.據曲線Vz=Vzo+Iz ×rz，又Vzo約等於Vzk，所以也可寫成Vz=Vzk+Iz ×rz
以上，但看一些題目描述都把Vz與Vzk都混一起，覺得很困惑
如上題目答案為(A)，題目說稽納電壓Vz=8，我會認為題目給的是我寫的1.
但實際是Vzk=8才能得到答案..(做法很簡單就不多贅述了)
(1)到底這樣題目的敘述是否有問題呢?
(2)若題目同時給了Vz與Vzk，要用Vz來判定稽納二極體有沒在崩潰狀態，這觀念是否正確?
(3)還是我對曲線認知有誤呢?
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※ 編輯: tyo1232000 (220.134.144.242), 01/16/2018 17:15:44
恩，你的題目的確比較清楚(Vz與Vzk都可以得到)，
我貼的題目給了rz，也是要採模型解，Vz=Vzk+Iz ×rz(電源串一電阻)
問題就是他只給了一個8V，這8V到底是Vz還是Vzk?
以題目字面看明明是Vz要等於8V (雖然這樣條件不夠，也算不出來)，
但實際他是把8V當作Vzk來算，
且我看到的解答，最一開始在判定稽納是否處於崩潰，也是用8V，表示變成用Vzk在判定...
完全混用兩者..
※ 編輯: tyo1232000 (220.134.144.253), 01/17/2018 00:33:50
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