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分享這陣子的選股邏輯
<主力圍繞車用，投信法人熱愛PCB>，
於最一開始先介紹2351順德、5285界霖、2233宇隆、3003健和興然後到6509聚和，後來轉往MOSFET、IGBT、現在到MCU與被動，如3317尼克森、2481強茂、3264欣銓、3624光頡、3026禾申堂、6202盛群，法人PCB則是2368金像電、6672騰暉、2441超豐，等另外過程中也做了一些母以子貴的短單如3687歐買尬、6405悅城，現在回頭檢視全部都是快要逛高或已經創高的股票，這就是台股很獨特的題材性，多研究產業多看公司結構，就能選出來的!!!
台灣羅德史瓦茲寬能隙半導體電源設計測試技術研討會
3月17日R&S將在台北舉辦技術研討會, 現場將安排電路模擬及EMI Debugging與情境展示！
隨著寬能隙半導體（Wide Bandgap Semiconductor）的發展，MOSFET 與 IGBT 的測試也跟著電壓的開關速率提高。其中備受矚目的雙脈衝測試 （Double-Pulse Testing），此方式利用巧妙的電路結構去檢測功率器件的瞬態開關特性、吸收電路的設計、短路特性等實際表現。
本次活動中，R&S將邀請北科大黃明熙教授提供電源轉換器之損失分析及量測技術的深入解析，同時邀請聯合大學江炫樟教授介紹研發設計不可或缺的電路模擬與治具搭配；並由R&S Asia專家分享寬能隙半導體的雙脈衝測試需要考量的量測細節，將其所得的資訊充分反映實際應用的情況；產品研發過程中，為取得正確的量測結果，如何選擇合適的探棒，為本次重要議題之一，本次活動也將探討如何藉由EMI Debugging在各階段減少因產品開發錯誤所致的損失及縮短上市時間。
座位有限, 限時限量免費報名由此進！
https://www.rohde-schwarz.taipei/Class/View.html?item=Cj8GNg%3D%3D&utm_source=EET&utm_medium=ema
#電源設計 #功率半導體 #汽車電子 #碳化矽SiC #氮化鎵GaN
【SiC、GaN，汽車電氣化之左右護法】
傳統功率元件已經不能滿足電動汽車發展的需要，新材料正在助力新能源汽車突破這一瓶頸。IHS 的研究報告表明，碳化矽 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 材料正在汽車領域呈現爆發性成長態勢。如今，超過 40% 的純電動汽車採用 SiC 材料作為動力系統的關鍵元件。超過 600V 電壓的汽車驅動牽引逆變器 (inverter) 之馬達驅動應用，SiC 材料正在快速替代傳統的矽基 IGBT 元件。
驅動馬達逆變器和車載充電器中的矽基 IGBT 和二極體改用 SiC MOSFET 之後，系統結構配置更緊密、輕量化，更高的轉換效率大大降低了發熱使得散熱和冷卻系統設計變得簡單，同時新材料能夠承受更高功率密度，使得新能源汽車的從點時間大大縮短，並可配置大容量電池，有效增加續航能力。然而，目前制約 SiC 材料發展的一個主要問題就是產能緊缺……。
另一個動力源則來自 GaN 材料，600V 以下的功率市場——包括汽車、工業以及消費電子產品，將是 GaN 材料的天下。GaN 元件的開關速度是矽元件的十倍，同時工作峰值溫度更高，這些穩健強大的材料特性使它非常適合不斷發展的 100V 和 650 V區間的汽車、工業、電信和特定消費類等各種應用領域。在汽車電動化演進中，車載充電器 (On-borad Charger, OBC；大陸稱為「車載充電機」) 與 48V 直流變換器是 GaN 材料應用重點。
延伸閱讀：
《意法半導體 SiC 和 GaN 雙箭齊出，推動汽車電氣化革命》
http://compotechasia.com/a/tactic/2020/0409/44451.html
#意法半導體ST #L9908 #L9963 #L9678 #L9679 #CEA-Leti #Exagan
