關於 mosfet導通電阻 ，我們在網路上蒐集到這些相關的討論、資訊與評價

#11. ROHM推出超低導通電阻新世代Dual MOSFET - 益登科技

ROHM推出超低導通電阻新世代Dual MOSFET. 適用於工控裝置和基地台馬達驅動應用. 半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出適用於FA等工控裝置和 ...

#12. 新穎的整合無損耗電流- 感測方案 - onsemi

關鍵字,MOSFET、電流感測、電感、負載開關、雙晶片式、PCB ... 的電壓降被量測,以計算流過電阻的電流,然而, ... 外元件,但不同MOSFET 元件的導通電阻可能不.

#13. 最小化電阻平坦度及改善音訊性能之固定切換vgs電路

MOSFET 裝置由於其證實沒有在雙極性電晶體或者其它固態開關中可發現之偏移電壓，並且MOSFET開關之導通電阻(Ron)非常低以及其截止電阻(Roff)非常高，故其為連接電子信號 ...

#14. 怎麼測量mos管的導通內阻，MOS管的導通電阻真的很重要嗎

這個方法是曾經做電機驅動時候的計算方式，但是，導通內阻跟vgs有一定關係，也就是說mos沒有完全導通時候內阻會大，畢竟mos是電壓驅動型器件。 另外手冊上 ...

#15. ROHM發表第五代超低導通電阻Pch MOSFET - 電子工程專輯

ROHM發表第五代超低導通電阻Pch MOSFET ... MOSFET產品分為Nch與Pch二種，具高效率的Nch應用較為普遍，但在高側使用Nch MOSFET時，需要閘極電壓高於 ...

#16. 功率半導體成為節能王牌--財經--人民網

SiC和GaN均可實現小於硅的導通電阻。 近幾年的硅功率MOSFET經過長年的技術開發，將MOS通道電阻等電阻成分降至極限，實現了接近單 ...

#17. ROHM推出超低導通電阻第五代Pch MOSFET - DigiTimes

半導體製造商ROHM研發出適用於FA和機器人等工控裝置及空調等消費電子產品共計24款Pch MOSFET產品，其中包括支援24V輸入電壓的耐壓－40V和－60V單極 ...

#18. 同步整流降壓負載點轉換器的設計: - —高低端MOSFET 的選擇

為最大限度地減少功率損耗,POL同步降壓轉換器中的控制與同步MOSFET 最好分別進行最佳 ... 上,選擇導通電阻最低的溝槽式MOSFET不一定能夠確保. 損耗最低。

#19. 四、場效電晶體原理1. 電晶體簡介2. MOSFET的操作原理(定性 ...

當VDS很小時，MOSFET就如同一個由閘極電壓控制的可變電阻。當VGS≤Vt ... 臨界電壓(threshold voltage)Vt：MOSFET導通條件的重要元件參數。

#20. ROHM推出超低導通電阻新世代Dual MOSFET | 新通訊

ROHM推出超低導通電阻新世代Dual MOSFET. 2021-08-23. 半導體製造商ROHM開發出適用於FA等工控裝置和基地台（冷卻風扇）24V馬達驅動用內建二顆耐壓±40V和±60V的Dual ...

#21. 功率MOSFET | 電源IC專業廠家特瑞仕半導體（TOREX）

功率MOSFET產品介紹。功率MOSFET可以實現低導通電阻，超高速開關特性和高密度安裝。 按性能查找請點擊這裏. 按產品狀態篩選; 排列順序. New; 升級產品; 停產產品

#22. 矽功率MOSFET在電源轉換領域的發展已經走到盡頭了嗎？

國際整流器公司在1978年11月推出的IRF100是最早的功率MOSFET元件之一。這種元件具有100V的汲極-源極擊穿電壓和0.1Ω的導通電阻，樹立了那個時代的基準。

#23. 菜鳥也能輕鬆選擇MOSFET：手把手教你看懂產品數據

這就是為什麼導通電阻總是與VGS水平關聯在一起的原因，而且也是隻有在這個電壓下才能保證器件導通。一個重要的設計結果是，你不能用比用於達到RDS(on)額定 ...

#24. 瑞薩電子推出新款低導通電阻功率MOSFET - EDN Taiwan

瑞薩電子宣佈推出新款低導通電阻 MOSFET產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing FET使用。

#25. 高壓MOSFET的原理與性能分析 - 良品联社

INFINEON的內建橫向電場的MOSFET，耐壓600V和800V，與常規MOSFET器件相比，相同的管芯面積，導通電阻分別下降到常規MOSFET的1/5， 1/10；相同的額定 ...

#26. 具溝槽式終端結構超級接面電晶體之模擬與量測

高功率元件最基本的要求是高崩潰電壓和低導通電阻，然而兩者和漂移區的參雜、厚度(或 ... 之SJ-MOSFET 比較，在相同的耐壓等級下，本論文之SJ-MOSFET 特徵導通電阻 ...

#27. CTIMES- 溝槽構造SiC-MOSFET可大幅降低導通電阻

ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅 ...

#28. SUPERTEX 增強和耗盡型MOSFET

最小值(V). VGS(th). 最小值(V) 最大值(V). 漏極至源極. 導通狀態. 電阻. RDS（導通）. 最大值(Ω). 導通狀態. 漏極. 電流. ID(開). 最小值(A).

#29. ROHM推出600V耐壓SuperJunction MOSFET「R60xxVNx ...

ROHM推出600V耐壓SuperJunction MOSFET「R60xxVNx系列」 實現業界最快反向恢復時間和超低導通電阻. 本文作者：ROHM 點擊：1283 2022-04-13 14:52.

#30. EL3120 IGBT Gate Drive Optocoupler 應用手冊 - 億光電子

特性，具有MOSFET 快速開關與BJT 高電流導通的性能，此外，IGBT 具有較低的導通壓降 ... IGBT 外接的閘極電阻(Rg)可調節閘極電壓上升和下降速率，表現在開啟與關閉轉態 ...

#31. 源極端所能承受電壓值，主要受制內部逆向二極體的耐壓。 ② ...

低壓POWER MOSFET 導通電阻是由不同區域的電阻所組成，大部分存在於RCHANNEL，RJFET及REPI，在高壓MOS則集中於REPI。為了降低導通電阻值，Mosfet晶片技術上朝高集積度邁進 ...

#32. 菜鳥選擇MOSFET的四步驟！

這就是為什麽導通電阻總是與VGS水平關聯在壹起的原因，而且也是只有在這個電壓下才能保證器件導通。壹個重要的設計結果是，妳不能用比用於達到RDS(on)額定 ...

#33. 成果報告資料顯示 - 工程科技推展中心

隨著應用市場對高功率元件之需求，具有低特定導通電阻(Rsp,on)、高崩潰電壓(VBD)、低功率損耗(PD)、高速切換速度與高功率操作等特性MOSFET 已然成為現階段研發與製作之 ...

#34. 特瑞仕通用N通道MOSFET 具低導通電阻/高速開關 - 新電子

特瑞仕半導體株式會社開發了2種MOSFET新產品－XP22x系列(20V耐壓)。 此次發售的產品是具有低導通電阻和高速開關特性的通用N通道MOSFET產品。

#35. MOS管導通條件概述-過程-壓降-提高效率等詳解 - 台部落

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，使用與源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換 ...

#36. 第8章場效電晶體

及閘極（gate,G極）。相較於BJT，FET的主要特性是具有很高的輸. 入電阻，因此對輸入訊號源的負載效應可以降到極低。BJT與FET的. 特性比較如表8-1所示。

#37. 把MOS各工作過程剖析成這樣，小學生都看得懂 - 多源焦點

說明：. 功率MOSFET 在門級控制下的反向導通，也可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大 ...

#38. 基於漏極導通區特性來理解MOSFET的開關過程 - 壹讀

C-D 為可變電阻區，相應的Vgs電壓對應著一定的Vds電壓。Vgs電壓達到最大值，Vds電壓達到最小值，由於Id電流為ID恆定，因此Vds的電壓即為ID和MOSFET 的導通 ...

#39. 降低功率MOSFET損耗（硬體篇） - 有解無憂

導通電阻 與芯片面積成反比，但增加芯片面積降低導阻，成本的提升往往是商業類產品不能允許的;而引入少數載流子導電，可以降低導通壓降，但開關速度將受 ...

#40. MOS管的應用及驅動電路的介紹 - 看看文庫

pmos的特性,vgs小於一定的值就會導通,適合用於源極接vcc時的情況(高階驅動).但是,雖然pmos可以很方便地用作高階驅動,但由於導通電阻大,**貴,替換種類少等 ...

#41. MOS管的工作原理淺顯易懂 - w3c學習教程

不管是nmos還是pmos，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的mos管會減小導通損耗 ...

#42. 挑選合適元件(Mosfet)讓您天天準時下班. - 大大通

讓我們幫助您在DC-DC世界裡挑選合適Mosfet ,準時下班再也不會是夢想 降壓轉換 ... 導通損失; 電流流過MOSFET的Rdson會產生電阻損耗,針對UPPER及LOWER ...

#43. MOSFET|深圳市明和研翔科技有限公司 - LED驱动芯片

電力MOSFET漏源極之間有寄生二極管，漏源極間加反向電壓時器件導通。電力MOSFET的通態電阻具有正溫度係數，對器件並聯時的均流有利。

#44. MOS管引數詳解及驅動電阻選擇 - 道客文檔

nmos的特性，vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到一定電壓（如4v或10v, 其他電壓，看手冊）就可以了。 pmos ...

#45. nmos 開關條件

3、MOS開關管損失不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通 ...

#46. VBsemi如何正確選擇MOSFET？ - 行業新聞

漏極和源極之間存在一個內阻，稱為導通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的 柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設計意圖 ...

#47. RT9722 - 145mΩ, 1.5A 電流可調功率開關

RT9722 是一款具有成本效益，低電壓，內含P-MOSFET 功率開關的IC。且有導通電阻典型值為145mΩ 和10μA 靜態電流。為了能符合不同的應用，提供了可調整的電流限制門檻， ...

#48. Vishay推出RDS（ON）為4 m ohm 占位面積3.3 mm2的60 V ...

Vishay宣布，推出新款60 V TrenchFET®第四代n溝道功率MOSFET，業內首款適用於標準柵極驅動電路的器件，10 V條件下最大導通電阻降至4 mW， ...

#49. 【很實用】多種開關電源MOS管驅動電路詳細解析 - 雪花新闻

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換 ...

#50. mosfet 開關設計

在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。 但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但並不是一個 ...

#51. 可變導通時間開關(VARIABLE ON-TIME) - 宏浩創新科技

可變導通時間，高di/dt，低阻抗，MOSFET. 具有繼電器特性的多功能高壓開關，TTL 信號可控制導通時間。極低阻抗，非常適合中低頻“硬”開關 ...

#52. 超詳細圖文解析：MOSFET的驅動技術 - 今天頭條

不同的廠家對此定義略有不同，但是基本上來說，當電壓超過擊穿電壓，MOS的漏電流就會急劇上升。 導通電阻：. MOSFET在導通之後，其特性可以近似認為是 ...

#53. MOSFET-金屬氧化物半導體場效電晶體

MOSFET 常見參數說明. • Idss：當VGS=0時，D-S的漏電流. • Igss：最大VGS所需的電流值. • VGS(th)：讓D-S開始導通的最低VGS電壓. • RDS(on)：D-S導通後的兩端間的電阻值.

#54. 淺析MOS管如何快速關斷背後的祕密 - 程式人生

R4是Q1的導通電阻沒有Q1就沒有安裝的必要了，當低電位來時Q1為瀉放擴流管。 功率MOS管怎樣關斷？能否用PWM實現,怎樣實現？ 功率mosfet的三個埠，G ...

#55. 東芝推出擁有業界領先低導通電阻的40V/45V N溝道功率MOSFET

新的MOSFET利用東芝最新一代低電壓溝槽結構U-MOS IX-H製程，實現了業界領先的低導通電阻和高速性能。新結構降低了RDS(ON) * Qsw的性能指標，將開關 ...

#56. ROHM推出600V耐壓SuperJunction MOSFET「R60xxVNx ...

針對此種市場需求，ROHM對現有PrestoMOS™產品進行了改良，具有比同等級市場競品更低的導通電阻、有助進一步降低應用產品功耗。 本次研發的新系列產品採用 ...

#57. 華瑞股份有限公司

2005, 5, 取得台灣「降低功率金氧半場效電晶體(MOSFET)導通電阻之封裝打線改良裝置」之新型專利（新型第M262837號）. 2005, 4, 取得大陸「無焊線式半導體裝置及其封裝 ...

#58. 標籤: TO-247-3

經過多年的開發工作，以實現最低的導通電阻和穩健的短路和雪崩性能, 我們很高興發佈業界性能最佳的750V 碳化矽MOSFET. 我們的G3R™ 使電力電子設計師能夠滿足具有挑戰性 ...

#59. 了解提升功率密度的權衡與技術 - Texas Instruments

標電阻，裝置需佔用的面積數通常以電阻乘以面積. (Rsp) 來表示。您可透過降低金屬氧化半導體場效電. 晶體(MOSFET) 導通電阻(RDS(on))，來減少傳導損.

#60. mosfet 導通

菜鳥選擇MOSFET的四步驟！ ROHM推出超低導通電阻新世代Dual MOSFET. n溝mos管導通條件場效應管導通與截止由柵源電壓來操控，關于 ...

#61. 如何區分N溝道MOS管的各級MOS管怎麼區分N溝道和P溝道呢？

不管是nmos還是pmos，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的mos管會減小導通 ...

#62. 高壓低功耗LDMOS研究 - 中國知網

【摘要】 橫向功率器件的比導通電阻(Ron.sp)和擊穿電壓(BV)之間存在超線性關系Ron,so(?)BV2.5,因此Ron,sp和BV的折衷 ... (1)提出了超低比導通電阻SOl雙槽雙柵MOSFET。

#63. 功率MOSFET - Wikiwand

圖2：MOSFET的不同部份對導通電阻的貢獻. 當功率MOSFET在導通狀態時，在汲極和源極之間有電阻性的行為。在圖2中可以看到電阻（稱為RDSon，表示導通時， ...

#64. Vishay功率MOSFET導通電阻低至3.3mΩ

Vishay功率MOSFET導通電阻低至3.3mΩ ... Vishay Siliconix推出新型20V及30V P通道TrenchFET功率MOSFET──Si7633DP與Si7135DP。新元件採用SO-8封裝，其中 ...

#65. 看完這篇，請不要再說不懂MOSFET！ - sa123

（1）主要選型引數：漏源電壓VDS（耐壓），ID 連續漏電流，RDS(on) 導通電阻，Ciss 輸入電容（結電容），品質因數FOM=Ron * Qg等。 （2）根據不同的工藝又 ...

#66. mosfet 電流公式導通電阻 - Steur

mosfet 電流公式導通電阻. 因此與傳統MOS不同的是其電流流向為垂直方向流動。 雖然BJT可達到相當高的電流和耐壓額定，需要的維持電流也很小。利用三端穩壓構成恆流源， ...

#67. 世界最小導通電阻之SiC電晶體 - 材料世界網

經過MOSFET高溫特性與動力特性的評估，可知在175℃時，不具超接合面構造為6 mΩcm 2 ，而有超接合面構造則降低至3.86 mΩcm 2 。此外，窄節距超接合面構造以及低 ...

#68. nmos 導通

MOSFET 工作時汲極-源極間的電阻值稱為導通電阻。 導通電阻越小，適合用於源極接地時的情況（低端驅動），這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通 ...

#69. 一文講通MOSFET的驅動的重要性及過流保護設計 - HOHO

柵極請驅動電壓與ID電流關係圖3、MOS䇖䎔管損失不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，因而在DS間流過電流的同時，兩端還會有電壓（如2SK3418 ...

#70. 德州儀器超小型FemtoFET™ MOSFET 支援最低導通電阻

CSD17381F4 與CSD25481F4 支援低於100 mΩ的超低導通電阻，比目前市場上類似元件低70%。所有FemtoFET MOSFET 均提供超過4000V 的人體模型(HBM) 靜電放電( ...

#71. pmos 導通條件

增強型P溝道mos管（如si2333ds）開關條件pmos管作為開關使用時，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，不過好像有問題在下面的nmos因為3.3v輸入而導通，增強型nmos；2， ...

#72. mosfet 公式

MOS 管導通損耗的計算公式為：P=I^2R= Rdson* Iqsw* IqswD= 20x20x61.8/12=0.36W 人們對MOS管開關電源的要求越來越高，要求開關電源的體積越來越小，這也意味著開關頻率越來 ...

#73. 基于MOSFET导通电阻的无刷直流电机相电流采样技术研究

杨天+张捍东摘要：无刷直流电机矢量控制（FOC）对相电流的采样要求很高，文中利用MOSFET導通时自身的内阻代替传统的精密电阻以实现相电流的采样。

#74. vgs 是什麼MOSFET導通電阻Rds(ON)與VGS、結溫、耐壓之間 ...

除了VGS，DVI 和DisplayPort 接口有什么區… 細致的人可能會發現，卷組等信息，可進一步減小導通電阻。 mos管開關電路請教- amobbs ...

#75. mosfet 開關原理

MOS 管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。. 由於MOS管是電壓控制元件，所以 ... 下面是從以低啟動電阻和高速開關為特長的Nch 600V 4A的MOSFET R6004KNX ...

#76. 关于MOS管的导通电阻你知道多少？ - 电子工程专辑

如果想要耐压越高，内部结构就要做得越厚，所以耐压越高的MOS导通电阻RDS(on)会越大。导通电阻的大小除了可以通过查阅芯片的数据手册来查看，也可以自己 ...

#77. mos管開關

MOS 管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。 ... 驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。

#78. 達靈頓電晶體的使用時機- 電子電路 - 痞酷網

高功率負載使用MOSFET 時還要特別注意Vgs 的電壓，此電壓越高時Rds 導通阻抗會更低。 例如：. >前面多加一級電晶體提升Vgs 的電壓讓MOSFET 導通的更好 你 ...

#79. mos 飽和區

飽和區理想上，增量(小訊號)電阻為無限大(因iD與vDS無關) 例3.1：. n ... 此時的MOSFET處於飽和區，此時的Id為定值，不會隨著Vdc改變，而且此時的MOSFET 導通阻抗非常 ...

#80. 为什么MOS管夹断了还导通电流 - YouTube

为什么 MOS 管夹断了还导通电流沟道形成的原因，沟道夹断的条件，耗尽层的原理和使用沟道夹断但电流并不断，夹断区即为恒流区，饱和区和放大 ...

#81. mosfet應用

利用氧化層在MOSFET的G (閘極)端子和其他電極之間形成絕緣，讓在DS (汲極． ... 功率半導體MOSFET 的供給與需求; ROHM推出超低導通電阻新世代Dual MOSFET ...

#82. mosfet id 公式

二、MOSFET 直流電路分析例3.3： 一個n 通道增強型MOSFET 之共源極電路，求其ID ... 也就是使V GS 不斷上升，則MOSFET開始導通（I D 流出），I D 為1mA時V GS 為3V ...

#83. 官網氮化鎵功率晶體管器件電路與應用原書第3版亞歷克斯GaN ...

1.1硅功率MOSFET 年）1. 1.2GaN基功率器件1. 1.3GaN和SiC材料與硅材料的比較2. 1.3.1禁帶寬度Eg3. 1.3.2臨界電場Ecrit3. 1.3.3導通電阻RDS（on）3.

#84. 高功率元件應用研發聯盟

碳化矽MOSFET因此可以滿足電源開關的三項要求- 高崩潰電壓、低導通電阻和快速切換速度（圖一）。與矽IGBT和快速恢復二極體（FRDs）的組合相比，ROHM結合SiC MOSFET和SiC ...

#85. MOSFET导通电阻Rds(ON)与VGS、结温、耐压的关系分析

MOSFET 导通电阻Rds(ON)与VGS、结温、耐压的关系分析，导通电阻Rds(ON)是场效应管（MOSFET）的一项重要参数，mos管在越来越多的新能源和汽车电子应用中 ...

#86. nmos 開關原理

下面先了解MOS管的開通/關斷原理，請看下圖： NMOS管的主回路電流方向為D→S，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為5 10V（G電位比S電位高）；而PMOS管的主回路電流方向 ...

#87. 《數位之牆》2010/07科技產業動態：免費發佈新聞稿

2010年7月5日 — ... 推出全新HEXFET功率MOSFET系列，採用業界標準SOT-23封裝，並提供超低導通電阻(RDS(on)) ，適用於電池充電及放電開關、系統和負載開關、輕負載馬達 ...

#88. 新電子 12月號/2019 第405期 - 第 57 頁 - Google 圖書結果

牽引馬達逆變器電源模組做了一個SiC MOSFET與矽IG BT的對比測試,結果顯示, ... jmax 導通電阻除以MO SFET的個數,致使導通損耗接近零,因此,SiC MOSFET的導通損耗低 ...

#89. 理財周刊 第1090期 2021/07/16 - 第 36 頁 - Google 圖書結果

... 且已獲客戶採用,更進一步開發優化製程的技術平台,可大幅降低導通電阻開關切換速度。高壓 MOSFET 產品線方面,也已完成新高壓製程技術平台,以及相關封裝技術, ...

#90. 新電子 07月號/2020 第412期 - 第 34 頁 - Google 圖書結果

移動率電晶體(HEMT)元件則採用平面架構(圖 4右),並且與SiC FET 不同, ... 其1,200V SiC MOSFET具有業界最高額定溫度200°C,並且在溫度範圍內具有同類領先極低導通電阻。

#91. mosfet 使用用途

使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的， ...

#92. 新電子 11月號/2020 第416期 - 第 127 頁 - Google 圖書結果

... 東芝(T oshi ba)推出三款光繼電在接收器中還採用最新的MOSFET晶器TLP3480、TLP3481和TLP3482,片,實現低導通電阻。三款皆具備高這三款光繼電器均採用P-SON4封裝。

#93. 新電子 03月號/2019 第396期 - 第 66 頁 - Google 圖書結果

早期矽功率開關元件是採橫向的結構設計,但在給定的導通電阻R DS(on)下, ... 其電氣符號如圖2b 所示,Cascade是高壓空乏型的GaN與低壓矽MOSFET串接而成,整體封裝上複.

#94. MOS管的导通过程及损耗分析 - CSDN博客

从图中也能明显看出，MOS管在可变电阻区内，Vgs一定时，Id和Vds近似为线性关系，不同Vgs值对应不同的曲线斜率，即漏极D和源极S之间的电阻值Rds受控于Vgs； ...

#95. 深入剖析MOSFET导通 - 知乎专栏

在面向功率电子专业人士的网站上，如何导通MOSFET 的话题可能不值一提， ... 在更低温度下，使器件处于电阻区需要的栅极电压会更高，增速为0.3 %/℃。

#96. mos管漏源导通电阻 - 百度知道

MOSFET 的导通电阻Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ,实际上,线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数; 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为 ...

#97. MOSFET在开关电路中的应用-广州致远电子有限公司

将BJT视为一个二端口网络，输入端口为电阻与NTC型热敏电阻构成的基极分压回路，参数分别为基极-发射极电压以及流入基极的电流；输出端口没有连接任何负载，参数分别为 ...