Channel length modulation causes a finite ratio d(Vds)/d(Id) which resembles a finite otput resistance ro. With other words: The drain ... ... <看更多>

請問一下MOS在直流時需要考慮channel length modulation effect嗎? MOS在飽和區時理想上是一條水平線(iD-vDS圖形) 可是vDS增加時(以NMOS為例) ... ... <看更多>

channel -length modulation) them to have the same drain current. ... 9.32, the decrease in VDS results in smaller output resistance, ro). ... <看更多>

請教一下我們在MOS中，一般所謂的通道長度調變效應中的參數LAMBDA在TSMC的L檔案中能夠找到嗎? 還是有人知道TSMC 0.35 製程的LAMBDA值? 謝謝-- -- ※ 發信站: 批踢踢實業 ... ... <看更多>

VA = 1/lambda 是early voltage，用來表示channel length modulation的 ... 當transistor作為loading stage的同時，基本上就是電流源，此時希望Ro很 ... ... <看更多>

請問一下MOS在直流時需要考慮channel length modulation effect嗎? ... 1 F 推powerdown:理論上是要考慮ro，但直流偏壓分析時，因為ro大， 10/04 12:03. ... <看更多>